[实用新型]一种用于超宽带发射机的功率放大器有效

专利信息
申请号: 201920830817.X 申请日: 2019-06-03
公开(公告)号: CN209949059U 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 王向东;王世东;吉奇灵;张卉;唐胤明 申请(专利权)人: 成都国盛军通科技有限公司
主分类号: H03F1/48 分类号: H03F1/48;H03F3/21;H03F3/24;H03F3/45
代理公司: 51250 成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 陈千
地址: 610000 四川省成都市高新区(*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种用于超宽带发射机的功率放大器,包括电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8;电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6;MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12;电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4;通过本实用新型,可以得到在带宽、效率和线性度这几个性能上优化的功率放大器。
搜索关键词: 电感 电容 电阻 本实用新型 功率放大器 超宽带发射机 线性度 带宽 个性 优化
【主权项】:
1.一种用于超宽带发射机的功率放大器,其特征在于,包括电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8;电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6;MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12;电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4;所述MOS管M3的栅极与电源连接;所述的电感L3的一端与电源连接,另一端与电阻R3的一端连接,电阻R3的另一端与MOS管M3的漏极连接,MOS管M3的源极与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端通过电容C1与信号输入端连接,MOS管M3的源极还与MOS管M1的漏极连接,MOS管M1的栅极通过电感L1与信号输入正极端连接,MOS管M1的源极接地;/n所述电感L4的一端与电源连接,另一端与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与MOS管M4的漏极连接,MOS管M4的栅极与电源连接,MOS管M4的源极与电阻R2的一端连接,电阻R2的另一端通过电容C2与信号输入负极端连接;所述的MOS管M4的源极还与所述MOS管M2的漏极连接,所述MOS管M2的栅极通过所述电感L2与信号输入负极端连接,所述MOS管M2的源极接地;/n所述MOS管M7的栅极与电源连接,漏极与所述电感L7的一端连接,所述电感L7的另一端与电源连接,所述MOS管M7的源极与所述MOS管M5的漏极连接,所述MOS管M5的栅极与所述电感L5的一端连接,所述电感L5的另一端通过所述电容C3与所述电阻R3的另一端连接,所述MOS管M5的源极接地;/n所述MOS管M11的栅极与电源连接,所述MOS管M11的漏极与所述电感L7的一端连接,所述MOS管M11的源极与所述MOS管M10的漏极连接,所述的MOS管M10的栅极通过电容C6与所述MOS管M18的源极连接,所述的MOS管M10的源极接地;/n所述的MOS管M11的栅极还与所述MOS管M12的栅极连接,所述MOS管M12的漏极与所述MOS管M8的漏极连接,所述MOS管M12的源极与所述MOS管M9的漏极连接,所述MOS管M9的栅极通过电容C5与MOS管M7的源极连接,所述MOS管M9的源极接地;/n所述电感L8的一端与电源连接,所述电感L8的另一端与所述MOS管M8的漏极连接,所述MOS管M8的栅极与电源连接,所述MOS管M8的源极与所述MOS管M6的漏极连接,所述MOS管M6的栅极与电感L6的一端连接,所述电感L6的另一端通过电容C4与所述MOS管M4的漏极连接;所述电感L7的一端与信号输出正极端连接,所述电感L8的另一端与信号输出负极端连接。/n
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