[实用新型]一种霍尔片结构有效
| 申请号： | 201920748259.2 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN209658232U | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王凡 | 申请（专利权）人： | 宁波宝芯源功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 罗泳文<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种霍尔片结构，包括N型阱区、P型重掺杂层、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第三N型重掺杂区及第四N型重掺杂区、隔离层、第一导电栓塞、第二导电栓塞、第三导电栓塞及第四导电栓塞、第一电极、第二电极、第三电极及第四电极，所述第一N型重掺杂区与所述第三N型重掺杂区的第一连线与所述第二N型重掺杂区与所述第四N型重掺杂区的第二连线交叉。本实用新型可以集成在传统的CMOS工艺中，可与后端的处理电路集成在同一片硅片上形成霍尔传感器。本实用新型表面有P型重掺杂层做隔绝，驱动电流不会经过硅片表面，从而可以有效避免因为硅片表面缺陷而使输出电压不稳定的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 导电栓塞 本实用新型 连线 硅片表面缺陷 霍尔传感器 处理电路 第二电极 第三电极 第一电极 硅片表面 驱动电流 输出电压 电极 传统的 隔离层 霍尔片 硅片 | ||
【主权项】：
1.一种霍尔片结构，其特征在于，所述霍尔片结构包括：/nN型阱区；/nP型重掺杂层，位于所述N型阱区表面上；/n第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第三N型重掺杂区及第四N型重掺杂区，贯穿所述P型重掺杂层与所述N型阱区连通，所述第一N型重掺杂区与所述第三N型重掺杂区的第一连线与所述第二N型重掺杂区与所述第四N型重掺杂区的第二连线交叉；/n隔离层，覆盖于所述P型重掺杂层上，所述隔离层中具有与所述第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第三N型重掺杂区及第四N型重掺杂区对应的第一导电栓塞、第二导电栓塞、第三导电栓塞及第四导电栓塞；/n第一电极、第二电极、第三电极及第四电极，位于所述隔离层上，且分别与所述第一导电栓塞、第二导电栓塞、第三导电栓塞及第四导电栓塞相连。/n
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