[实用新型]一种用于提高磁控溅射中靶利用率的装置有效
| 申请号： | 201920734947.3 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN210193988U | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王士成;齐士新;李龙;杜彦;钟学勇 | 申请（专利权）人： | 天津南玻节能玻璃有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 天津企兴智财知识产权代理有限公司 12226 | 代理人： | 孟令琨 |
| 地址： | 301700 天津市武清*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型创造提供了一种用于提高磁控溅射中靶利用率的装置，包括靶材基座、以及靶材基座上设置的磁力组件，所述靶材基座上设有用于设置磁力组件的装配槽；所述磁力组件包括装配槽底部间隔设置的数个磁芯、以及磁芯上水平设置的背板。本实用新型创造结构简单，成本低，还能在不改造整体设备的情况下，完善平面靶的利用空间，本实用新型创造还提高了平面靶靶材的利用率，完善靶材膜厚均匀性；通过在靶材基座上设置冷却组件，冷却组件可以大大降低装置整体的温度，有利于提高靶材的使用寿命；并且冷却组件还可以很好的支撑住背板，避免背板发生弯折，使背板可以始终稳定的支撑住靶材，进一步提高了靶材的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 磁控溅射 利用率 装置 | ||
【主权项】：
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