[实用新型]静电放电保护电路及集成电路芯片有效
| 申请号： | 201920550016.8 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN209823413U | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 许杞安 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人： | 袁礼君;孙宝海 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种静电放电保护电路及集成电路芯片。该静电放电保护电路应用于集成电路芯片中，所述集成电路芯片包括：供电端、信号输入端和接地端，所述静电放电保护电路包括：第一保护电路及第二保护电路；所述第一保护电路包括：第一NMOS管；所述第二保护电路包括：电容、第二NMOS管及第三NMOS管；所述第一NMOS管与所述第二NMOS管共享栅极耦合效应。该静电放电保护电路能够使得高速输入PAD依然可以采用栅极耦合效应的保护电路来提高静电放电保护的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 静电放电保护电路 电路 集成电路芯片 栅极耦合 静电放电保护 本实用新型 信号输入端 高速输入 电容 供电端 接地端 共享 应用 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护电路，应用于集成电路芯片中，所述集成电路芯片包括：供电端、信号输入端和接地端，其特征在于，所述静电放电保护电路包括：第一保护电路及第二保护电路；所述第一保护电路包括：第一NMOS管；所述第二保护电路包括：电容、第二NMOS管及第三NMOS管；/n其中，所述电容的一端电连接至所述供电端，所述电容的另一端电连接至所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极电连接至所述接地端，所述第三NMOS管的栅极电连接至所述供电端；/n其中，所述第一NMOS管的漏极电连接至所述信号输入端，所述第一NMOS管的源极电连接至所述接地端，所述第一NMOS管的栅极电连接至所述第三NMOS管的漏极；/n其中，所述第二NMOS管的漏极电连接至所述供电端，所述第二NMOS管的源极电连接至所述接地端，所述第二NMOS管的栅极电连接至所述第三NMOS管的漏极。/n
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