[实用新型]一种高过载近距测距射频电路

摘要

本实用新型公开了一种高过载近距测距射频电路，通过设采用硅材料作为晶振原料，再通过将硅晶振与锁相环、环路滤波器、射频输出模块分别串联，以形成整套射频信号输出电路。由于硅晶振最大可以承受50000g冲击，因此本申请实施例中的射频电路在高过载环境下能够表现出非常优秀的承载能力，具有提高整个射频电路的可靠性和降低故障率的技术效果。进一步地，所述射频电路为印制于直径为13‑16毫米的圆形PCB上，其功耗约为500mW，在具有高集成度的基础上，功耗也能实现较低的标准，因此本申请技术方案还具有提高近距测距射频电路小型化、轻便化的技术效果。