[实用新型]一种调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置有效
| 申请号： | 201920363076.9 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN209728210U | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 韩春蕊;叶剑挺;齐月静;王宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02F1/01 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 任岩<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置，该装置包括：一高导电材料衬底；在高导电材料衬底上形成的一绝缘层；在绝缘层上形成的一二维晶体单层；在二维晶体单层上形成的一透光介质层；以及在透光介质层上形成的具有周期性单元结构的金属纳米超材料。本实用新型基于金属表面等离激元共振原理，利用金属纳米超材料各向异性共振场调控半导体荧光场，实现偏振荧光并达到偏振可调的目的。本实用新型调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置，有效拓宽了二维晶体禁带荧光的线性可调范围和温度适用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 二维晶体 本实用新型 荧光 禁带 绝缘层 高导电材料 透光介质层 金属纳米 荧光偏振 超材料 衬底 单层 偏振 调制 周期性单元 等离激元 共振原理 金属表面 线性可调 共振场 可调的 半导体 调控 | ||
【主权项】：
1.一种调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置，其特征在于，包括：/n一高导电材料衬底；/n在该高导电材料衬底上形成的一绝缘层；/n在该绝缘层上形成的一二维晶体单层；/n在该二维晶体单层上形成的一透光介质层；以及/n在该透光介质层上形成的具有周期性单元结构的金属纳米超材料。/n
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