[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201920360611.5 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN209627331U | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 山田孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘慧群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具备：基板，具有被供给接地电位的接地部；半导体芯片，安装在基板上，具有第一输出端子、第二输出端子、第一终止端子、以及接地端子；第一放大器，形成在半导体芯片的第一区域，将第一频带的第一输入信号放大并从第一输出端子经由第一输出导线输出第一放大信号；第二放大器，形成在半导体芯片的第二区域，将第二频带的第二输入信号放大并从第二输出端子经由第二输出导线输出第二放大信号；第一高次谐波终止电路，具有使第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将第一终止端子和接地部电连接的第一导线；以及接地导线，在半导体芯片的主面的俯视下设置在第一导线与第二输出导线之间，将接地端子和接地部电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 输出端子 放大信号 输出导线 接地部 放大器 输入信号放大 半导体装置 接地端子 电连接 基板 高次谐波分量 第二区域 第一区域 高次谐波 接地导线 接地电位 频率特性 终止电路 输出 衰减 俯视 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：基板，具有被供给接地电位的接地部；半导体芯片，安装在所述基板上，具有第一输出端子、第二输出端子、第一终止端子、以及接地端子；第一放大器，形成在所述半导体芯片的第一区域，将第一频带的第一输入信号放大并从所述第一输出端子经由第一输出导线输出第一放大信号；第二放大器，形成在所述半导体芯片的第二区域，将第二频带的第二输入信号放大并从所述第二输出端子经由第二输出导线输出第二放大信号；第一高次谐波终止电路，具有使所述第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将所述半导体芯片的所述第一终止端子和所述基板的所述接地部电连接的第一导线；以及接地导线，在所述半导体芯片的主面的俯视下，设置在所述第一导线与所述第二输出导线之间，将所述半导体芯片的所述接地端子和所述基板的所述接地部电连接。
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