[实用新型]一种单晶炉有效
申请号: | 201920179780.9 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN209702906U | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 潘燕萍;朱海军 | 申请(专利权)人: | 常州市乐萌压力容器有限公司 |
主分类号: | C30B15/14 | 分类号: | C30B15/14;C30B15/20;C30B29/06 |
代理公司: | 32294 常州市华信天成专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 何学成<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 213000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型属于晶体生长设备技术领域,具体涉及一种单晶炉。该单晶炉包括单晶炉炉腔、石英坩埚、石墨加热器,石英坩埚上边缘设置有石英坩埚上沿,石英坩埚上沿远离石英坩埚本体一侧设置有石英坩埚翻边,所述石英坩埚与石墨加热器相匹配;单晶炉炉腔顶部设置有晶种旋转机构,两者连接处设置有凸台,晶种旋转机构竖直方向设置有穿过凸台的籽晶杆,籽晶杆与凸台连接部设置有密封胶,籽晶杆中心轴与单晶炉炉腔中心轴重叠,籽晶杆底端设置有籽晶;籽晶杆中间部位设置有激光传感器,单晶炉炉腔侧壁设置有至少2个激光块。该种单晶炉体系受热均匀,可以有效避免硅料融化时飞溅到石墨件上;降低热场温度变化对单晶硅生产质量的影响,晶体生长过程可控。 | ||
搜索关键词: | 石英坩埚 单晶炉 籽晶杆 石墨加热器 旋转机构 晶种 凸台 晶体生长过程 晶体生长设备 本实用新型 单晶硅生产 激光传感器 凸台连接部 方向设置 炉腔侧壁 炉腔顶部 炉腔中心 受热均匀 密封胶 上边缘 石墨件 中心轴 飞溅 底端 翻边 硅料 可控 炉腔 热场 竖直 籽晶 匹配 融化 激光 穿过 | ||
【主权项】:
1.一种单晶炉,包括单晶炉炉腔(1)、石英坩埚(9)、石墨加热器(10),其特征在于:所述的石英坩埚(9)上边缘设置有石英坩埚上沿(901),所述的石英坩埚上沿(901)远离石英坩埚(9)本体一侧设置有石英坩埚翻边(902),所述的石英坩埚(9)侧壁与石英坩埚上沿(901)、石英坩埚翻边(902)形成凹槽,所述的石英坩埚(9)本体横截面为U形,所述石墨加热器(10)横截面为U形,所述的石墨加热器(10)上边沿与石英坩埚(9)外侧凹槽相匹配,所述的石墨加热器(10)底部与石英坩埚(9)底部相匹配;所述的石墨加热器(10)底部设置有升降机构(11);/n所述的单晶炉炉腔(1)顶部设置有晶种旋转机构(2),所述晶种旋转机构(2)与单晶炉炉腔(1)炉体连接处设置有凸台(3),所述晶种旋转机构(2)竖直方向设置有穿过凸台(3)的籽晶杆(6),所述籽晶杆(6)中心轴与单晶炉炉腔(1)中心轴重叠,所述的籽晶杆(6)与凸台(3)连接部设置有密封胶(4),所述的籽晶杆(6)底端设置有籽晶(8);/n所述的单晶炉炉腔(1)中段设置有冷却水管道(13)。/n
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