[实用新型]电子器件有效
| 申请号： | 201920166835.2 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN209896069U | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | M·阿加姆 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L27/06 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型题为“电子器件”。本公开涉及一种电子器件。电子器件可以包括JFET，所述JFET覆盖在衬底上面并包括第一阱区和具有相反的导电类型的第二阱区，所述第一阱区包括漏极区或源极区或两者。所述第二阱区可以设置在所述第一阱区内并包括所述JFET的栅极电极。如本文所述的实施方案可以用于形成与n沟道MISFET和p沟道MISFET集成的JFET，而不必向现有方法流程添加额外的掩蔽或其他方法操作。 | ||
| 搜索关键词： | 阱区 电子器件 掩蔽 本实用新型 导电类型 栅极电极 漏极区 源极区 衬底 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包括：/n第一结型场效应晶体管，所述第一结型场效应晶体管覆盖在衬底上面并包括：/n第一阱区，所述第一阱区具有第一导电类型并包括漏极区、源极区或所述漏极区和所述源极区两者；/n第二阱区，所述第二阱区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，其中：/n所述第二阱区设置在所述第一阱区内并包括所述第一结型场效应晶体管的第一栅极电极；并且/n所述第二阱区覆盖在所述第一结型场效应晶体管的沟道区上面；和/n第一金属-绝缘体-半导体场效应晶体管，所述第一金属-绝缘体-半导体场效应晶体管覆盖在所述衬底上面并包括在所述第一阱区、所述第二阱区或与所述第二阱区间隔开的第三阱区内的一部分。/n
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