[实用新型]一种精密选区激光退火装置有效
申请号: | 201920153030.4 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN209169106U | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 安海岩;王威;徐豪;于海 | 申请(专利权)人: | 武汉锐晶激光芯片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种精密选区激光退火装置,包括:本体,所述本体包括上下两个容置空间,为第一、第二容置空间;激光发射装置在所述第一容置空间内部顶端,发射出不同波段的激光光源;振镜单元位于所述第一容置空间内,接收激光光源并进行传输;透镜单元设置在所述第一容置空间与所述第二容置空间的连接面上,样品台设置在所述第二容置空间内部底面的基座上,用于放置样品,所述样品接收从所述透镜单元透射的激光,且,所述基座的高度可进行调节。解决退火位置不能精确选择,退火过程复杂且不可控,工作效率低的技术问题。达到自由空间区域的精密选择,通过激光聚焦直接加热的方式在退火温度及退火速率方面获得更高的提升的技术效果。 | ||
搜索关键词: | 退火 第二容置空间 第一容置空间 精密 激光光源 透镜单元 退火装置 选区激光 激光发射装置 自由空间区域 本实用新型 工作效率 激光聚焦 技术效果 容置空间 退火过程 样品接收 振镜单元 直接加热 样品台 波段 透射 激光 传输 发射 | ||
【主权项】:
1.一种精密选区激光退火装置,其特征在于,所述装置包括:本体,所述本体包括上下两个容置空间,其中,位于上方的为第一容置空间,位于下方的为第二容置空间;激光发射装置,所述激光发射装置设置在所述第一容置空间内部顶端,发射出不同波段的激光光源;振镜单元,所述振镜单元位于所述第一容置空间内,接收所述激光发射装置发射的激光光源并进行传输;透镜单元,所述透镜单元设置在所述第一容置空间与所述第二容置空间的连接面上,接收所述振镜单元传输的激光,并将所述激光透射至所述第二容置空间;样品台,所述样品台设置在所述第二容置空间内部底面的基座上,用于放置样品,所述样品接收从所述透镜单元透射的激光,且,所述基座的高度可进行调节。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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