[实用新型]高压肖特基二极管

摘要

本实用新型涉及一种高压肖特基二极管，它包括P型衬底、N型埋层、N型深阱、第一N型阱区、P型保护环、P型阱区、第一N型区、阴极电位层、第二N型阱区、第二N型区、阳极电位层、P型区、衬底电位层、隔离层、多晶硅场板、保护层、阴极电位引出极、阳极电位引出极、衬底电位引出极、阴极电位连接极、阳极电位连接极与衬底电位连接极。本实用新型增大了边缘耗尽层的曲率半径，从而使边缘表面电场显著减弱，减少漏电流，提高耐压能力。本实用新型可以屏蔽表面电场，即降低表面的电场强度，减小反向电流，从而提高反向击穿电压。

主权项

1.一种高压肖特基二极管，其特征是：在P型衬底（1）的上表面内嵌有N型埋层（2），在P型衬底（1）与N型埋层（2）的上表面设有N型深阱（3），在N型深阱（3）的上表面内嵌有第一N型阱区（4）、P型保护环（8）与P型阱区（6），在第一N型阱区（4）的上表面内嵌有第一N型区（7），在第一N型阱区（4）与第一N型区（7）的上表面设有阴极电位层（15），在P型保护环（8）内设有第二N型阱区（5），在第二N型阱区（5）的上表面内嵌有第二N型区（9），在第二N型阱区（5）与第二N型区（9）的上表面设有阳极电位层（16），在P型阱区（6）的上表面内嵌有P型区（11），在P型阱区（6）与P型区（11）的上表面设有衬底电位层（17），在第一N型阱区（4）、P型保护环（8）与P型阱区（6）外侧的N型深阱（3）的上表面设有隔离层（10），隔离层（10）与P型保护环（8）通过多晶硅场板（18）相连，在隔离层（10）上设有保护层（22），在保护层（22）的上表面设有阴极电位引出极（12）、阳极电位引出极（13）与衬底电位引出极（14），阴极电位引出极（12）与阴极电位层（15）通过保护层（22）内的阴极电位连接极（19）相连，阳极电位引出极（13）与阳极电位层（16）通过保护层（22）内的阳极电位连接极（20）相连，衬底电位引出极（14）与衬底电位层（17）通过保护层（22）内的衬底电位连接极（21）相连；在高度方向上，第一N型阱区（4）的上表面、P型保护环（8）的上表面与P型阱区（6）的上表面均位于N型深阱（3）的上表面的上方，第一N型阱区（4）的上表面位于隔离层（10）的上表面与下表面之间，P型阱区（6）的上表面位于隔离层（10）的上表面与下表面之间，P型保护环（8）的上表面位于隔离层（10）的上表面与下表面之间。