[实用新型]一种坩埚有效
| 申请号： | 201920083157.3 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN209537669U | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 徐云飞;何亮;毛伟;周成 | 申请（专利权）人： | 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338004 *** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种坩埚，用于单晶硅铸锭，包括坩埚本体，所述坩埚本体包括底座和由所述底座向上延伸的侧壁，所述底座和所述侧壁围成一收容空间，所述底座包括中间区域和包围所述中间区域的外围区域，所述外围区域的导热系数高于所述中间区域的导热系数。本实用新型提供的坩埚，在单晶硅铸锭过程中可以使得坩埚底座的中间区域和外围区域的温度一致，中间区域与外围区域的长晶速率一致，提高单晶硅质量和利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 中间区域 外围区域 底座 单晶硅 坩埚 本实用新型 导热系数 坩埚本体 侧壁 收容空间 温度一致 向上延伸 铸锭过程 坩埚底座 铸锭 包围 | ||
【主权项】：
1.一种坩埚，用于单晶硅铸锭，其特征在于，包括坩埚本体，所述坩埚本体包括底座和由所述底座向上延伸的侧壁，所述底座和所述侧壁围成一收容空间，所述底座包括中间区域和包围所述中间区域的外围区域，所述外围区域的导热系数高于所述中间区域的导热系数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司，未经赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920083157.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种柔性线路板电镀挂具
- 下一篇：晶体生长用双层坩埚
