[发明专利]一种泡沫镍支撑的多孔过渡金属钴电极及其制备方法和在硼氢化钠电催化氧化中的应用有效
| 申请号： | 201911420669.5 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111082073B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 张栋铭;张君君;刘有智;崔灿;王浩宇;程宇玲;祁贵生;焦纬洲;袁志国 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | H01M4/86 | 分类号： | H01M4/86;H01M4/88;H01M4/90 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 申艳玲 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种泡沫镍支撑的多孔过渡金属钴电极及其制备方法和在硼氢化钠电催化氧化中的应用。采用电沉积及“去合金”过程制备多孔过渡金属钴作为高性能催化剂催化NaBH |
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| 搜索关键词： | 一种 泡沫 支撑 多孔 过渡 金属 电极 及其 制备 方法 氢化 电催化 氧化 中的 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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