[发明专利]一种无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法有效

专利信息
申请号: 201911397370.2 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN111122545B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 陈玉云;黄峰;李朋;孟凡平 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 刘诚午
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明的目的在于提供一种快速、无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法,首先利用激光拉曼(Raman)光谱仪测定导电氧化物薄膜的特定光谱,将特定光谱进行定量,定量方法可对拉曼的E2high,AM和LO三种信号进行准确定量与区分,进而间接解决了该三类信号对应的本征缺陷或非本征缺陷结构难以定量的难题;接着将光谱定量数据与霍尔测试仪实际测到的电学数据进行比对分析,得出对应关系;最后根据对应关系,就可以利用拉曼光谱仪这种无损检测手段,快速测量出导电氧化物薄膜的电学性能,在检测领域具有极大的应用前景。
搜索关键词: 一种 无损 检测 导电 氧化物 薄膜 电学 性能 方法
【主权项】:
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