[发明专利]一种晶界扩散制备高性能大块钕铁硼磁体的方法在审
| 申请号： | 201911391045.5 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN110993311A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 王春国;吕向科;张民;王显伟;郑大伟;武秉晖;毛应才;竺晓东 | 申请（专利权）人： | 宁波韵升股份有限公司;宁波韵升磁体元件技术有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315040 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种晶界扩散制备高性能大块钕铁硼磁体的方法，在每片薄片钕铁硼磁体的一个包覆表面分别包覆R |
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| 搜索关键词： | 一种 扩散 制备 性能 大块 钕铁硼 磁体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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