[发明专利]一种IGBT性能退化特征参数的提取方法有效
| 申请号： | 201911389455.6 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111190088B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 游海龙;胡金宝;张金力 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 陈宏社;王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种IGBT性能退化特征参数的提取方法，旨在提高对IGBT退化在线监测的精度，实现步骤为：(1)采集IGBT性能退化的检测数据；(2)计算拖尾电流的拟合系数和栅极漏电流的拟合系数；(3)构建IGBT的特征矩阵；(4)对特征矩阵进行核主成分分析；(5)构建样本集和健康样本集；(6)获取IGBT的性能退化特征参数。通过对漏电流拟合系数、拖尾电流拟合系数和饱和开态电压三种退化特征进行核主成分分析，剔除了冗余信息，同时使用贡献率作为加权马氏距离的权重参考，通过加权马氏距离得到了IGBT性能退化特征参数，提高了IGBT性能退化特征参数的准确性，本发明可应用于对IGBT性能退化进行在线监测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 性能 退化 特征 参数 提取 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911389455.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
