[发明专利]一种氧化钇掺杂煅烧莫来石-硅酸锆环境障碍涂层及制备方法有效

专利信息
申请号: 201911376317.4 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN110963824B 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 曾毅;熊翔;钱天笑;伦惠林;叶子名;胡锦润 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C04B41/89 分类号: C04B41/89;C04B35/565;C04B35/52;C04B35/83
代理公司: 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 代理人: 周咏;林毓俊
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开一种氧化钇掺杂煅烧莫来石‑硅酸锆环境障碍涂层及制备方法,包括有SiC结合层和复合层,所述的复合层由ZrSiO4粉、Y2O3粉和莫来石粉为原料烧结而成,Y2O3粉、莫来石粉和ZrSiO4粉的摩尔比为(0.1~1.0):(0.2~1.0):(0.3~1.0)。本发明通过Y2O3粉与莫来石共混烧结,使得莫来石中大量的非晶态的二氧化硅发生转变,避免其在高温水汽作用下,形成多孔层,从而达到提高莫来石稳定性的目的。本发明采用利用刷涂‑烧结方法,工艺成本低,制备时间短,过程简单,所制备的复合涂层结构较为致密。本发明所制备的环境障碍涂层成分均匀,并具有良好的抗水蒸气腐蚀性能。
搜索关键词: 一种 氧化钇 掺杂 煅烧 莫来石 硅酸 环境 障碍 涂层 制备 方法
【主权项】:
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