[发明专利]多相耦合电感的阵列式集成磁件的构造方法及集成电感在审

专利信息
申请号: 201911366695.4 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN111029121A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 张晓峰;张东来;谷雨;刘治钢;王磊;张文佳 申请(专利权)人: 北京空间飞行器总体设计部;哈尔滨工业大学(深圳)
主分类号: H01F38/00 分类号: H01F38/00
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人: 胡吉科
地址: 100000*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种多相耦合电感的阵列式集成磁件的构造方法及集成电感,属于电感器技术领域。本发明构造方法包括如下步骤:构建矩阵结构,所述耦合磁芯单元采用矩阵化结构布局;基于所述矩阵结构,构造矩阵式集成电感;采用多相电感对称化全耦合或多相电感对称化首尾次序耦合,形成对称化的集成电感。本发明的有益效果为:可消除直流偏磁、可自由调节耦合度、可任意拓展集成相数。
搜索关键词: 多相 耦合 电感 阵列 集成 构造 方法
【主权项】:
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