[发明专利]电场控制纳米磁铁及包含其的随机存取存储器在审
| 申请号： | 201911366269.0 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111384236A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 林新;吴世钰;徐创涵 | 申请（专利权）人： | 中央研究院 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/04;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李佳 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电场控制纳米磁铁及包含其的随机存取存储器(SOT‑MRAM)。其中，电场控制纳米磁铁包括：一第一自旋霍尔材料层，包括一第一自旋霍尔材料；一第二自旋霍尔材料层，包括一第二自旋霍尔材料；以及一第一磁性材料层，设置在第一自旋霍尔材料层及第二自旋霍尔材料间；其中，第一自旋霍尔材料及第二自旋霍尔材料实质上彼此镜像对称。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 控制 纳米 磁铁 包含 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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