[发明专利]电场控制纳米磁铁及包含其的随机存取存储器

权利要求书

1.一种电场控制纳米磁铁，包括：

一第一自旋霍尔材料层，包括一第一自旋霍尔材料；

一第二自旋霍尔材料层，包括一第二自旋霍尔材料；以及

一第一磁性材料层，设置在该第一自旋霍尔材料层及该第二自旋霍尔材料间；

其中，该第一自旋霍尔材料及该第二自旋霍尔材料实质上彼此镜像对称。

2.根据权利要求1所述的电场控制纳米磁铁，其中该第一自旋霍尔材料及该第二自旋霍尔材料分别为一可产生垂直分量自旋轨道耦合力矩的自旋霍尔材料。

3.根据权利要求1所述的电场控制纳米磁铁，还包括一第三自旋霍尔材料层，其中该第一自旋霍尔材料层位于该第一磁性材料层及该第三自旋霍尔材料间，且该第三自旋霍尔材料层包括一第三自旋霍尔材料。

4.根据权利要求3所述的电场控制纳米磁铁，还包括一第四自旋霍尔材料层，其中该第二自旋霍尔材料层位于该第一磁性材料层及该第四自旋霍尔材料层间，该第四自旋霍尔材料层包括一第四自旋霍尔材料，且该第三自旋霍尔材料及该第四自旋霍尔材料实质上彼此镜像对称。

5.根据权利要求3所述的电场控制纳米磁铁，其中该第三自旋霍尔材料为一可产生垂直分量自旋轨道耦合力矩的自旋霍尔材料。

6.根据权利要求4所述的电场控制纳米磁铁，其中该第三自旋霍尔材料及该第四自旋霍尔材料分别为一可产生垂直分量自旋轨道耦合力矩的自旋霍尔材料。

7.根据权利要求1所述的电场控制纳米磁铁，还包括：

一第五自旋霍尔材料层，包括一第五自旋霍尔材料；

一第六自旋霍尔材料层，包括一第六自旋霍尔材料；以及

一第二磁性材料层，设置在该第五自旋霍尔材料层及该第六自旋霍尔材料层间；

其中，该第二自旋霍尔材料层设置在该第一磁性材料层及该第五自旋霍尔材料层间，且该第五自旋霍尔材料及该第六自旋霍尔材料实质上彼此镜像对称。

8.根据权利要求7所述的电场控制纳米磁铁，其中该第五自旋霍尔材料及该第六自旋霍尔材料分别为一可产生垂直分量自旋轨道耦合力矩的自旋霍尔材料。

9.一种随机存取存储器，包括：

一第一自旋霍尔材料层，包括一第一自旋霍尔材料；

一第二自旋霍尔材料层，设置于该第一自旋霍尔材料层上，其中该第二自旋霍尔材料层包括一第二自旋霍尔材料；

一第一磁性材料层，设置在该第一自旋霍尔材料层及该第二自旋霍尔材料间；

一第三磁性材料层，设置在该第二自旋霍尔材料层上；以及

一绝缘层，设置在该第二自旋霍尔材料层与该第三磁性材料层间；

其中，该第一自旋霍尔材料及该第二自旋霍尔材料实质上彼此镜像对称。

10.根据权利要求9所述的随机存取存储器，其中该第一磁性材料层为一自由磁性材料层，而该第三磁性材料层为一固定磁性材料层。

11.根据权利要求9所述的随机存取存储器，其中该第一自旋霍尔材料及该第二自旋霍尔材料分别为一可产生垂直分量自旋轨道耦合力矩的自旋霍尔材料。

12.根据权利要求9所述的随机存取存储器，还包括一第四磁性材料层，设置在该绝缘层与该第二自旋霍尔材料层间，其中该绝缘层设置在该第三磁性材料层与该第四磁性材料层间。

13.根据权利要求12所述的随机存取存储器，其中该绝缘层与该第三磁性材料层及该第四磁性材料层接触。

14.根据权利要求12所述的随机存取存储器，其中该第三磁性材料层为一固定磁性材料层，而该第四磁性材料层为一自由磁性材料层。