[发明专利]一种基于高阶模的光电探测器有效
| 申请号： | 201911357260.3 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111029422B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈代高;肖希;王磊;张宇光;胡晓;余少华 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 陈文净 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于高阶模的光电探测器，涉及光电探测技术领域，基于高阶模的光电探测器包括探测器本体和模式转换器，探测器本体包括硅衬底，模式转换器设于所述硅衬底一侧，用于将光电探测器的入射光的基模转换为高阶模式后传输给所述硅衬底。本发明提供的基于高阶模的光电探测器，提高了光电探测器的饱和吸收阈值，减少光与金属通孔的相互作用，提高器件线性度和响应度，增加器件带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 高阶模 光电 探测器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
