[发明专利]能够实现粒子的非对称囚禁的垂直腔面发射半导体激光器有效
| 申请号： | 201911353535.6 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111029903B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 晏长岭;杨静航;逄超;冯源;郝永芹;张剑家 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 能够实现粒子的非对称囚禁的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有能够发射非圆空心光的垂直腔面发射半导体激光器其结构复杂。本发明在欧姆接触层、上分布布拉格反射镜以及有源增益区形成的圆柱形实体的中心部分设置一个以离子注入方式形成的齐顶高阻区，所述齐顶高阻区呈近似圆柱状，齐顶高阻区的顶面与欧姆接触层的顶面平齐，齐顶高阻区的底面与下分布布拉格反射镜的内镜面接触；遮挡成形层位于齐顶高阻区的顶面位置，遮挡成形层的尺度在能够覆盖齐顶高阻区的顶面与能够使上电极内孔留有空间之间，遮挡成形层的形状为非圆几何图形，遮挡成形层厚度、材质与上电极相同。本发明器件结构简单，制作工艺也简单。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 实现 粒子 对称 囚禁 垂直 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学，未经长春理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911353535.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
