[发明专利]低温多晶硅平板探测器像素电路及平板探测方法有效

专利信息
申请号: 201911348859.0 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN110956923B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 解海艇;金利波;朱翀煜 申请(专利权)人: 上海奕瑞光电子科技股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;G01T1/24;G01T1/161
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 施婷婷
地址: 201201 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种低温多晶硅平板探测器像素电路及平板探测方法,包括:依次串联于复位信号与光敏二极管的阴极之间的第一重置开关、传输门,光敏二极管的阳极连接偏置电压;依次串联于电源信号输出端之间的第二重置开关、源极跟随器及选择开关;连接于源极跟随器源极和栅极之间的补偿开关;以及连接于第一重置开关漏极和源极跟随器栅极之间的存储电容;第一重置开关与第一重置开关的控制端连接第一控制信号,传输门与补偿开关的控制端连接第二控制信号;选择开关的控制端连接第三控制信号。本发明对电路中源极跟随器的阈值电压漂移进行内部补偿,减少第一重置开关的关态漏电流,可实现高帧率、高灵敏度、低剂量的动态平板探测。
搜索关键词: 低温 多晶 平板 探测器 像素 电路 探测 方法
【主权项】:
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