[发明专利]一种适用于奇次倍频的二极管有效

专利信息
申请号: 201911343724.5 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN110993686B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 张勇;吴成凯;魏浩淼;胡江;延波;徐锐敏 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L29/47 分类号: H01L29/47;H01L29/872
代理公司: 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 代理人: 王伟
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开一种适用于奇次倍频的二极管,应用于平面肖特基二极管领域,针对现有的二极管奇次倍频效率低的问题,本发明的二极管,包括:衬底,制作于衬底上的金属凸台,金属凸台上形成左右两个靠近的下侧阳极金属柱,两个下侧阳极金属柱上各覆盖一层外延层,两外延层上各设有上侧阳极金属柱;还包括两个空气桥,分别连接两个上侧阳极金属柱至衬底电路;本发明的二极管为对称结构,适合于奇次倍频;其结构简单,消除了欧姆接触,有助于简化倍频器的设计过程并提高倍频效率。
搜索关键词: 一种 适用于 倍频 二极管
【主权项】:
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