[发明专利]一种A、B位共掺杂锆酸钙导体材料及其制备方法

摘要

本发明涉及导体材料领域，提供了一种A、B位共掺杂锆酸钙导体材料及其制备方法。本发明提供的A、B位共掺杂锆酸钙导体材料的化学式为：YmCanZr1‑xFexO3‑δ，其中m＝0.01～0.1，n＝0.9～0.99，x＝0.010～0.60，δ代表氧空位，所述δ为0.01～0.6。本发明通过向锆酸钙中掺杂钇和铁，通过低价掺杂提高缺陷浓度以及电子‑离子混合传导，进而改善Y掺杂CaZrO3的电子电导和离子电导，有效提高了A、B位共掺杂锆酸钙导体材料的总电导率和离子电导率。实施例结果表明：本发明制备得到的A、B位共掺杂锆酸钙导体材料导电性能较好，在950℃的总电导率为0.01022～0.04149S/cm，在950℃的离子电导率为0.00521～0.02063S/cm。