[发明专利]一种单晶硅用便于调控的生长设备及其生长方法在审

专利信息
申请号: 201911334794.4 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN110983430A 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 胡佳 申请(专利权)人: 大同新成新材料股份有限公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 申绍中
地址: 037002 *** 国省代码: 山西;14
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种单晶硅用便于调控的生长设备,包括炉体,炉体上端外壁设有下连接环,炉体顶端设有炉盖,炉盖顶面设有进料口,炉体内设有保温罩,保温罩顶面设有进料斗,炉体内底面固接有托杆,托杆顶端固接有托槽,托槽从外向内依次设有储液腔、环形状的电热板、坩埚,储液腔底面一侧设有进水管、另一侧设有出水管,托杆下端外壁固接有冷水箱,出水管的出水口位于冷水箱内,冷水箱一侧设有水泵,水泵的进水口位于冷水箱内,水泵的出水口与进水管的进水口固接,炉体一侧设有过滤箱,过滤箱的出气口固接有真空泵,过滤箱顶面设有配电箱。本发明结构简单、便于使用,可有效的提高单晶硅的生长速率。
搜索关键词: 一种 单晶硅 便于 调控 生长 设备 及其 方法
【主权项】:
暂无信息
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