[发明专利]一种硅基纳米级弯曲切趾光栅的制备方法在审
| 申请号： | 201911323677.8 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111106531A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 王艳;徐鹏霄;王东辰;唐光华;顾晓文;周奉杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 孙昱 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基纳米级弯曲切趾光栅的制备方法，包括：对衬底进行表面清洁及热处理，衬底为SOI材料；涂覆电子束抗蚀剂UV135，电子束曝光写标记；蒸发Ti/Pt合金，金属剥离；涂覆高分辨率电子束抗蚀剂ZP520A，进行纳米级弯曲切趾光栅浅刻蚀图形的电子束曝光；顶层硅ICP浅刻蚀；涂覆高分辨率电子束抗蚀剂ZP520A，进行深刻蚀图形的套刻与电子束曝光；顶层硅ICP深刻蚀；电子束光刻邻近效应校正。该方法可制作纳米级密集弯曲切趾光栅线条，具有易于控制、精度高、灵活性大的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 弯曲 光栅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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