[发明专利]一种真空系统下磁化材料的强永磁体装置有效

专利信息
申请号: 201911301311.0 申请日: 2019-12-17
公开(公告)号: CN110988005B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 孙喆;王鹏栋;刘毅;李昱良;张国斌 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: G01N23/2273 分类号: G01N23/2273;G01N23/2204
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 邓治平;顾炜
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种真空系统下磁化材料的强永磁体装置,包括:永磁体结构、真空腔体、样品架,其中样品架和永磁体安装在真空腔体内部,分别负责给样品降温和加磁场。本装置无需使用大电流(100A)和隔热装置维持磁场,因此不会有额外电流对测量系统产生附加干扰,使用成本低,性能稳定。本装置产生的磁场超过1T,远高于传统磁体磁场强度,磁场在磁化区域内分布均匀,提高实验的可重复性。相比已经广泛应用的直线型海尔贝克阵列磁体,环形磁体的体积更小,磁场最强点分布合理,适合应用于超高真空环境。
搜索关键词: 一种 真空 系统 磁化 材料 永磁体 装置
【主权项】:
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