[发明专利]一种相变材料复合磨料的化学机械抛光液及其应用

摘要

本发明公开一种相变材料复合磨料的化学机械抛光液，并用于相变存储器件中的Crx‑Sb2Te3相变材料抛光工艺。由于Crx‑Sb2Te3是一种三元金属合金，薄膜硬度较低，使用单一磨料容易造成划痕。本发明中的新型复合磨料抛光液能够很好解决薄膜表面划伤问题。该CMP的复合磨料抛光液包括如下组分：氧化剂，表面活性剂，二氧化硅及氧化铈磨料，PH调节剂和去离子水。其特征在于两种磨料取长补短，产生协同效应对CST薄膜起到的不同作用能够使薄膜去除速率更可控、表面质量更好，满足制备相变存储器CMP的需要。