[发明专利]硅烷交联型半导电屏蔽材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201911284020.5 申请日: 2019-12-13
公开(公告)号: CN110938274B 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 洪向明;王海涛;关江伟;于西;舒康王;李秀娟 申请(专利权)人: 浙江万马高分子材料集团有限公司
主分类号: C08L51/06 分类号: C08L51/06;C08L23/08;C08K3/04;H05K9/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 311300 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种硅烷交联型半导电屏蔽材料及其制备方法和应用。所述硅烷交联型半导电屏蔽材料包括A组分和B组分,所述A组分与所述B组分的质量比为90‑99.5:10‑0.5;其中,所述A组分包括:硅烷交联聚乙烯、导电炭黑以及乙烯‑辛烯共聚物;所述B组分包括:聚乙烯以及硅烷交联催化剂。本发明提供的硅烷交联型半导电屏蔽材料,具有较高的耐温等级、较好的加工性能及较低的体积电阻率等性能。
搜索关键词: 硅烷 交联 导电 屏蔽 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江万马高分子材料集团有限公司,未经浙江万马高分子材料集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911284020.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top