[发明专利]一种用于异质结层间电荷转移的近场光学表征方法有效
| 申请号： | 201911279865.5 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111257599B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 戴庆;郭相东;杨晓霞;刘瑞娜;胡德波;胡海;吴晨晨;罗成 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | G01Q60/18 | 分类号： | G01Q60/18;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京恒律知识产权代理有限公司 11416 | 代理人： | 庞立岩;顾珊 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于异质结层间电荷转移的近场光学表征方法，该方法可以在实空间上直接观测到电荷转移前后的光学图像，需要的观测器件衬底作为栅极，电介质层沉积在衬底上，TMD薄膜层(过渡金属二硫属化物Transition‑metal dichalcogenide，简称TMD)覆盖于电介质层上，石墨烯薄膜层覆盖于TMD薄膜层上形成石墨烯/TMD异质结。方法借助的表征仪器是散射式近场光学显微镜。本发明由于异质结堆叠制备好后，层间电荷是稳定的，转移很难观测到，这里设计借助可见光手段激发TMD中产生光电子，从而让光电子在异质结中间进行转移，结合s‑SNOM装置对石墨烯/TMD异质结进行实空间表征，最终可实现实空间成像方式观测到在异质结间光生电荷转移的效果，应用于光波导器件、光电探测器和光学记忆存储器件等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 异质结层间 电荷 转移 近场 光学 表征 方法 | ||
【主权项】：
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