[发明专利]一种有机硅修饰量子点的制备方法有效
| 申请号： | 201911273321.8 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110951480B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 孙小卫;王恺;杨鸿成;刘乙樽;徐冰;李祥;吴耿锋;陈家宝 | 申请（专利权）人： | 深圳扑浪创新科技有限公司 |
| 主分类号： | C08L83/04 | 分类号： | C08L83/04;C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区布吉街道甘李*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种有机硅修饰量子点的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将阳离子源与聚硅氧烷溶剂混合分散，得到阳离子前驱体溶液；(2)向阳离子前驱体溶液中注入阴离子源溶液，反应，得到所述有机硅修饰量子点。所述制备方法通过聚硅氧烷溶液的引入直接合成了表面含有硅氧烷配体的量子点，无需后续通过硅烷偶联剂做进一步修饰，避免了修饰过程对量子点光学性能的影响。本发明提供的制备方法得到的有机硅修饰量子点荧光量子产率高、粒径均一，通过所述有机硅修饰量子点制备的薄膜的量子效率高、发光性能好。因此，本发明提供的制备方法简便、高效，可以得到光学性能好的有机硅修饰量子点，具有广阔的工业化推广前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机硅 修饰 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
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