[发明专利]一种基于状态机的SDRAM控制方法及系统有效

专利信息
申请号: 201911263392.X 申请日: 2019-12-11
公开(公告)号: CN111522753B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 肖骁;吕林洪;陈新展 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第七0九研究所
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F3/06
代理公司: 武汉河山金堂专利事务所(普通合伙) 42212 代理人: 胡清堂
地址: 430205 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及存储器控制技术领域,尤其涉及一种基于状态机的SDRAM控制方法及系统。所述方法包括:制作状态机数据表;将所述状态机数据表加入内部存储区;将所述状态机数据表和相关控制信号一起组合成SDRAM的控制逻辑;对所述SDRAM控制逻辑调试后,联合目标数据进行所需的读写存取操作;所述系统包括状态机数据表定制模块、SDRAM控制器;SDRAM控制器包括BUFF存储单元、逻辑控制单元和接口控制单元;本发明实施例所述系统执行上述方法,利用FPGA内部存储资源根据SDRAM芯片时序图,制作相应状态机数据表,利用硬件描述语言加以调用和控制,实现对SDRAM控制操作,提高信号控制效率。
搜索关键词: 一种 基于 状态机 sdram 控制 方法 系统
【主权项】:
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