[发明专利]利用有限元对功率变换单元磁场辐射发射进行分析的方法有效
| 申请号： | 201911259647.5 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111079331B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张正卿;吴浩伟;郑中祥;李锐;蔡凯;李鹏;汪文涛;蔡久青;孔祥伟;金翔;李小谦;邓磊;张鹏程;帅骁睿;欧阳晖;姜波;李可维;张炜龙;邢贺鹏;孙瑜;陈涛;魏华;罗伟;杜伟;陈小邹 | 申请（专利权）人： | 中国船舶重工集团公司第七一九研究所 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;H02M1/00;H02M1/44 |
| 代理公司： | 北京律谱知识产权代理有限公司 11457 | 代理人： | 李砚明 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种利用有限元对功率变换单元磁场辐射发射进行分析的方法，包括以下步骤：识别功率变换单元的基本换流回路；获取各基本换流回路在分析工况下的回路电流波形，对该波形进行频谱分析，获取关注频段范围内回路电流各次谐波的幅值与相位分布；建立导电导磁器件的功率变换单元磁场三维有限元分析模型，并对功率半导体器件和被动器件进行模型简化与等效；依次在各关注频点处对基本换流回路模型进行扫频涡流场分析，获取各回路在各频点处的磁场辐射发射矢量分布；对各基本换流回路的磁场辐射发射矢量进行空间矢量叠加，获取各关注频点处产生的总磁场辐射发射矢量分布。该方法能够高效、快速地分析功率变换单元磁场辐射发射的特性，模型规模和计算量小。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 有限元 功率 变换 单元 磁场 辐射 发射 进行 分析 方法 | ||
【主权项】：
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