[发明专利]基于SiO2

摘要

本发明公开了一种基于SiO2电流阻挡层的氮化铝CAVET器件，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其包括衬底(1)、漂移层(2)、电流阻挡层(3)、n+层(4)、源极(5)、漏极(6)、栅极(7)和钝化层(8)。其中，漂移层位于衬底的上部，电流阻挡层对称分布于漂移层上部的左右两侧，n+层位于电流阻挡层和漂移层的上部，源极位于n+层上部的左右两侧，栅极位于源极的中间，漏极位于衬底的下部，钝化层位于源极和栅极之间。本发明由于衬底、漂移层和n+层采用AlN材料，电流阻挡层采用SiO2，减小了高压偏置下的泄漏电流，提高了器件的击穿电压和可靠性，可作为高压电源系统中的电力电子器件。