[发明专利]一种三硫化二锑纳米棒阵列的制备方法及基于其的太阳电池在审

专利信息
申请号: 201911256690.6 申请日: 2019-12-10
公开(公告)号: CN110844936A 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: 刘荣;王命泰;陈俊伟 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: C01G30/00 分类号: C01G30/00;H01L31/0336;H01L31/075;H01L31/18;B82Y10/00;B82Y30/00
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人: 卢敏
地址: 230031 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种三硫化二锑纳米棒阵列的制备方法及基于其的太阳电池,是首先通过溶液法在TiO2纳米颗粒致密薄膜上沉积Sb2S3种子晶体,再通过溶液法在分散有Sb2S3种子晶体的TiO2薄膜上制备出Sb2S3纳米棒阵列,最后在Sb2S3纳米棒阵列上沉积共轭聚合物薄膜和阴极层,即获得了基于Sb2S3纳米棒阵列的具有p‑i‑n结构的太阳电池。本发明的太阳电池具有300‑750nm的光谱响应范围,电池的转换效率达到5.24%,且制备方法简单,具有很好的大规模应用的潜力。
搜索关键词: 一种 硫化 纳米 阵列 制备 方法 基于 太阳电池
【主权项】:
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