[发明专利]套刻补偿的方法及其系统有效
| 申请号： | 201911201781.X | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112882346B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 吴怡旻;杨晓松;刘喜亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种套刻补偿的方法及其系统，所述方法包括：提供衬底，衬底包括多个标准图形；提供测试光罩，测试光罩包括多个图形，图形中包括测试图形；提供基底，对测试光罩中的测试图形进行曝光，在基底上形成多个实际图形，实际图形与标准图形相对应；获得实际图形与相对应的标准图形之间的套刻偏移量；提供场域间模型，根据套刻偏移量对场域间模型进行拟合，获得场域间补偿模型和初始残值；提供光场级模型，根据初始残值对光场级模型进行拟合，获得光场级补偿模型和最终残值；利用所述光场级补偿模型获得机台补偿值。本发明通过光场级补偿模型获得机台补偿值，将机台补偿值将机台局限性误差考虑进套刻补偿方法中，降低了机台性能局限性导致的套刻误差。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
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