[发明专利]一种半导体激光器的镀膜方法及半导体激光器在审

专利信息
申请号: 201911194151.4 申请日: 2019-11-28
公开(公告)号: CN111106528A 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 王俊;李波;胡燚文;李泉灵 申请(专利权)人: 苏州长光华芯光电技术有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
主分类号: H01S5/028 分类号: H01S5/028;H01S5/323
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 李博洋
地址: 215163 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种半导体激光器的镀膜方法及半导体激光器,该半导体激光器的镀膜方法包括:对半导体激光器芯片的表面进行解理形成解理面;通过电子回旋等离子体清洗解理面;在解理面上形成钝化层。通过电子回旋共振等离子体对解理面进行清洗时,无需对激光器芯片进行高温加热,从而避免了因温度高导致的激光器芯片电极退化、效率降低的问题,并且由于电子回旋共振等离子体的能量低,对半导体激光器的解理面进行正面轰击也不会对解理面造成损伤。因此通过该半导体激光器的镀膜方法对半导体激光器加工,既可以抑制半导体激光器出光腔面的灾变式的光学损伤,也不会在镀膜过程中对激光器造成电极退化、效率降低、解理面损伤等负面影响。
搜索关键词: 一种 半导体激光器 镀膜 方法
【主权项】:
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