[发明专利]检测晶片上下层叠对的方法和设备有效
| 申请号： | 201911186817.1 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110865518B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿林;陈翰;张辰明;魏芳 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供检测晶片上下层叠对方法包括对第一层图形晶片表面设定区域进行扫描，提取出第一层扫描图片的图形轮廓数据与第一层版图数据进行比对并保存；晶片继续进行工艺使晶片具有第二层图形，对具有第二层图形的晶片表面的该设定区域进行扫描，将第二层扫描图片的图形轮廓数据提取出来与第二层版图数据进行比对并保存比对数据；将第一层比对数据和第二层比对数据进行叠对关系比对并保存。本发明提供的设备包含存储模块、光栅化模块、匹配模块、生成模块、计算模块、图片获取模块。据此，在流片光刻工艺中，不改变工艺且不对晶片产生破坏，获得的各层的图形且与设计的版图进行比对，各层之间进行叠对比对，检测套刻精度并进行光学邻近校正。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 晶片 上下 层叠 方法 设备 | ||
【主权项】：
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