[发明专利]一种Si/MoS2在审

专利信息
申请号: 201911185522.2 申请日: 2019-11-27
公开(公告)号: CN110875150A 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 郑佳红;牛世峰;张润梅 申请(专利权)人: 长安大学
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 郭瑶
地址: 710064*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种Si/MoS2电极材料制备方法,本发明首先制备Si量子点,再将Si量子点与钼酸铵和尿素混合,最终得到Si/MoS2电极材料,Si/MoS2电极材料的电化学性能优于单一的MoS2的电化学性能,其中在电流密度为5A g‑1时,Si/MoS2的比电容为574.4F g‑1远高于MoS2的比电容82.2F g‑1。与MoS2相比,Si/MoS2纳米片之间的孔隙变大,且纳米片与片之间的相对位置也变的更加紧密,以一种互相交错互相依附的关系分布,这不仅使电解质离子与活性物质有更加紧密的接触,而且会促进电极表面法拉第反应的发生。
搜索关键词: 一种 si mos base sub
【主权项】:
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