[发明专利]一种提高大尺寸直拉单晶效率的方法有效
| 申请号： | 201911182250.0 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112853476B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 赵志远;武志军;郭谦;霍志强;郭志荣;张石晶;王胜利;韩凯 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种提高直拉单晶效率的方法，所述直拉单晶包括缓降温，在缓降温时，对应不同的晶体位置区间，设置不同的取段慢速以及慢速提升时间，且在不进行复投的缓降温基础上，对应不同的晶体位置区间，单晶炉主室内设置不同的熔硅功率，且晶体位置区间相对较低的单晶，其取段慢速相对较快，慢速提升时间相对较短，所述熔硅功率相对较低，晶体位置区间相对较高的单晶则相反，如此，减少了一些短单晶不必要的多余缓降温时间，从而大大提高了生产效率，而且减少了气体用量以及耗电量，从而降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 尺寸 直拉单晶 效率 方法 | ||
【主权项】：
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