[发明专利]一种高缺陷容限的单晶高温合金构件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911170740.9 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN110777284B 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 于金江;周亦胄;杨彦红;王新广;侯桂臣;孙晓峰 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C22C19/05 分类号: C22C19/05;B22D27/04;C30B11/00;C30B29/52;B22C9/04
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 于晓波
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种高缺陷容限的单晶高温合金构件及其制备方法,属于高温合金材料与熔模铸造技术领域。通过添加与优化Hf、B、Zr、Ti、V等碳化物形成元素碳形成不同类型的碳化物,提高晶界强度,提升小角度晶界缺陷的容限,通过Ce、La等提升内部微孔容限。通过L1、L2、H1三者间尺寸的变化制备具有不通过内部微孔含量的单晶构件,通过L1和Y1结构尺寸的变化,改变构件凝固过程中二次枝晶生长,实现不同角度差异的小角度晶界缺陷的制备。本发明通过合金成分与构件结构的协同调整,实现单晶高温合金内部微孔及小角晶界等凝固缺陷的定量制备。
搜索关键词: 一种 缺陷 容限 高温 合金 构件 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种高缺陷容限的单晶高温合金构件,其特征在于:按重量百分比计,该单晶高温合金构件的化学成分如下:/nC 0.12~0.18%,Cr 4.3~5.6%,Al 5.6~6.3%,Co 8.0~10.0%,Mo 0.8~1.4%,W7.7~9.3%,Nb 1.4~1.8%,Ta 3.5~4.5%,Re 3.5~4.5%,Y 0.001~0.005%,Hf0.005~0.03%,Zr 0.005~0.03%,Ti≤0.2%,V 0.001~0.1%,Ce 0.001~0.0055%,La0.001~0.0045%,余量为Ni及不可避免的杂质。/n
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