[发明专利]一种无热处理的磁控溅射制备钙钛矿铁电薄膜的方法有效
| 申请号： | 201911158839.7 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110670041B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 薛德胜;杨洋 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心代理有限公司 62100 | 代理人： | 孙惠娜 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种无热处理的磁控溅射制备钙钛矿铁电薄膜的方法，其工艺为：用溶胶凝胶法制备BZT‑BCT的凝胶，将凝胶在600‑800℃下煅烧得到前驱物粉体，将前驱物粉体与聚乙烯醇溶液混合后造粒、压靶、排胶、在800‑1000℃烧结6小时制得磁控溅射所需靶材。本发明通过单靶磁控溅射的方法在不加热的Si基底上生长了结晶性非常好的复合钙钛矿铁电多晶薄膜，为铁电薄膜的生长提供了一种工艺简单，低能耗，生长条件宽泛的生长方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热处理 磁控溅射 制备 钙钛矿铁电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种无热处理的磁控溅射制备钙钛矿铁电薄膜的方法，其特征在于工艺为：用溶胶凝胶法配置BZT-BCT靶材的前驱物粉体，使前驱物粉体与聚乙烯醇混合后压靶烧结得到BZT-BCT靶材，使用BZT-BCT靶材通过单靶射频磁控溅射的方式在不加热的Si基片上生长复合钙钛矿铁电多晶薄膜。/n
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