[发明专利]一种具有高耐压自限流性能的阻变型选通器及制备方法有效

专利信息
申请号: 201911145732.9 申请日: 2019-11-21
公开(公告)号: CN110707213B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 曹丽莉;王李苑;缪旻;张浩;王涛;张锦扬 申请(专利权)人: 北京信息科技大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 代理人: 刘静培
地址: 100089 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种具有高耐压自限流性能的阻变型选通器及其制备方法,所述的阻变型选通器,结构包括从底部至顶部依次设置的衬底、底电极薄膜、功能层薄膜和顶电极薄膜,且所述底电极薄膜的面积大于所述功能层薄膜的面积;每层材料薄膜层之间没有其他材料,相邻薄膜层之间通过一定程度的相互扩散形成多级次功能层,使所述阻变型选通器在高电压下仍保持低电流值,可有效抑制阻变器件集成阵列中的串扰电流;改善功能层薄膜在真空状态下沉积得到的成分偏析问题,使高电阻状态更稳定。使底电极薄膜与功能层薄膜之间形成一种特殊的材料界面效应,在大电压下将通过该选通器的电流稳定在一个极低的固定值,形成自限流效应,省略外加钳位电流。
搜索关键词: 一种 具有 耐压 限流 性能 变型 选通器 制备 方法
【主权项】:
1.一种具有高耐压自限流性能的阻变型选通器,其特征在于,结构包括从底部至顶部依次设置的衬底、底电极薄膜、功能层薄膜和顶电极薄膜,所述底电极薄膜的面积大于所述功能层薄膜的面积,所述底电极薄膜和顶电极薄膜均为金属薄膜,各薄膜层的厚度为10-3000nm。/n
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