[发明专利]一种具有高耐压自限流性能的阻变型选通器及制备方法有效
申请号: | 201911145732.9 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN110707213B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 曹丽莉;王李苑;缪旻;张浩;王涛;张锦扬 | 申请(专利权)人: | 北京信息科技大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人: | 刘静培 |
地址: | 100089 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种具有高耐压自限流性能的阻变型选通器及其制备方法,所述的阻变型选通器,结构包括从底部至顶部依次设置的衬底、底电极薄膜、功能层薄膜和顶电极薄膜,且所述底电极薄膜的面积大于所述功能层薄膜的面积;每层材料薄膜层之间没有其他材料,相邻薄膜层之间通过一定程度的相互扩散形成多级次功能层,使所述阻变型选通器在高电压下仍保持低电流值,可有效抑制阻变器件集成阵列中的串扰电流;改善功能层薄膜在真空状态下沉积得到的成分偏析问题,使高电阻状态更稳定。使底电极薄膜与功能层薄膜之间形成一种特殊的材料界面效应,在大电压下将通过该选通器的电流稳定在一个极低的固定值,形成自限流效应,省略外加钳位电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 耐压 限流 性能 变型 选通器 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有高耐压自限流性能的阻变型选通器,其特征在于,结构包括从底部至顶部依次设置的衬底、底电极薄膜、功能层薄膜和顶电极薄膜,所述底电极薄膜的面积大于所述功能层薄膜的面积,所述底电极薄膜和顶电极薄膜均为金属薄膜,各薄膜层的厚度为10-3000nm。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京信息科技大学,未经北京信息科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911145732.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。