[发明专利]片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法有效
| 申请号： | 201911091011.4 | 申请日： | 2019-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN111007078B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 李娟;李春;朱敏尉;刘楠;张辉;孔泽斌;张超;罗宇华;祝伟明;江芸;楼建设 | 申请（专利权）人： | 上海精密计量测试研究所 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01N1/28;G01B21/00;G01B21/20;G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 余岢 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 钽电容 及其 阴极 二氧化锰 质量 控制 方法 | ||
【主权项】：
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