[发明专利]光电探测器有效
| 申请号： | 201911089315.7 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN112786714B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张金;魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/102;G01J1/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光电探测器，包括一半导体元件、一第一电极、一第二电极及一电流探测元件，该半导体元件包括：一半导体层、一第一碳纳米管、以及一第二碳纳米管，该半导体层包括层叠设置的n型半导体层和p型半导体层，该半导体层定义一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面；该第一碳纳米管设置在第一表面，并与第一表面直接接触；该第二碳纳米管设置在第二表面，并与该第二表面直接接触，所述第一碳纳米管的延伸方向与第二碳纳米管的延伸方向交叉设置，在所述第一碳纳米管以及第二碳纳米管的交叉点处，所述第一碳纳米管、半导体层以及第二碳纳米管的重叠区域形成一多层结构，所述第一电极与第一碳纳米管电连接，所述第二电极与第二碳纳米管电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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