[发明专利]一种STT-MRAM的双端自检写电路及数据写入方法有效
| 申请号： | 201911077925.5 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110993001B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 刘冬生;陆家昊;李豪;严进;刘波;金子睿;喻红梅;鄢奉赜 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种STT‑MRAM的双端自检写电路及数据写入方法，属于存储器STT‑MRAM电路设计领域，包括：写操作执行电路，其两个输入端分别用于接收写操作类型控制信号IN和连接至自检控制电路的输出端，其两个输出端分别与存储单元的BL端和SL端相连，用于根据控制信号开启或关闭写操作通路，并根据给存储单元提供写电流以写入数据；自检控制电路，其六个输入端分别用于接收写操作类型控制信号IN、信号 |
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| 搜索关键词： | 一种 stt mram 自检 电路 数据 写入 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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