[发明专利]一种GaN纳米线锂离子电池负极材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201911077798.9 申请日: 2019-11-06
公开(公告)号: CN110902660B 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 倪世兵;许真;杨淑越;杨学林 申请(专利权)人: 三峡大学
主分类号: H01M4/58 分类号: H01M4/58;H01M10/0525;H01M4/36;C01B21/06;B82Y30/00
代理公司: 宜昌市三峡专利事务所 42103 代理人: 成钢
地址: 443002 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种静电纺丝制备GaN纳米线作为锂离子电池负极材料的方法。具体操作是:取一定量的Ga(NO3)3·xH2O、N,N‑二甲基甲酰胺和乙酰丙酮加入到烧杯中,再向烧杯加入适量聚乙烯吡咯烷酮并搅拌5h形成透明溶液,然后转移至静电纺丝注射器中纺丝5h,结束后取下纺布在100℃烘箱中干燥12h,干燥后置于马弗炉中,以5℃/min的升温速度,在空气条件下,750℃煅烧3h,再将所得产物在氨气中退火5h,温度为700℃~900℃。
搜索关键词: 一种 gan 纳米 锂离子电池 负极 材料 制备 方法
【主权项】:
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