[发明专利]一种基于电化学粗化的纳米金薄膜SERS基底制备方法有效
| 申请号： | 201911069052.3 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN110747435B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘大猛;邱翠翠;王江彩;庞华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/58;G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人： | 黄利萍;原春香 |
| 地址： | 100084 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于电化学粗化的纳米金薄膜SERS基底制备方法，采用电位阶跃技术制备粗糙化纳米金薄膜，实现拉曼信号的增强，通过控制氧化脉冲电位、氧化还原循环次数及金薄膜厚度，实现对粗化基底微观形貌结构的调控，从而实现对SERS检测效果的调控。本发明通过简便、快速、成本低的方法来制备高性能的SERS基底，从而实现超灵敏SERS检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电化学 纳米 薄膜 sers 基底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于电化学粗化的纳米金薄膜SERS基底制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1、清洗吸附在Si晶片的杂质：/n将覆有300nm厚度SiO
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