[发明专利]一种用于三结砷化镓外延层表面平整化处理的工艺方法有效
| 申请号： | 201911060784.6 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110695842B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李穆朗;张雁敏;曹志颖;王东兴 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B37/04;B24B57/02;C09G1/04 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于三结砷化镓外延层表面平坦化处理的工艺方法，配制两种抛光液后，将晶片放置于压块上粘贴的无蜡垫内；三结砷化镓外延层面贴紧抛光盘上的阻尼布，执行自查程序，查看压块和晶片的自旋状况；自查程序执行结束后，施加第一种抛光液，执行第一段抛光程序；第一段程序结束后，关闭第一种抛光液，施加第二种抛光液，同时执行第二段程序；第二段程序结束后，关闭抛光液，从压块上粘贴的无蜡垫内取出晶片，放入白花篮中进行清洗。技术效果是解决了目前三结砷化镓外延层无法在保证表面质量的前提下达到1µm整体平整度和3nm以下表面粗糙度的问题，可以有效地提高三结砷化镓外延层表面平整度，降低表面粗糙度，提高键合效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 三结砷化镓 外延 表面 平整 处理 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于三结砷化镓外延层表面平整化处理的工艺方法，其特征在于：采用英国Logitech公司LP50型磨抛机，工艺方法包括如下步骤，/n第一步，配制抛光液，抛光液一：去离子水15L倒入干净的抛光液桶中，使用0.01g电子秤分别称量氯化物粉末100～200g、硫代硫化物粉末150-250g、多聚磷酸盐粉末100～300g、碳酸氢盐粉末40～150g，倒入15L去离子水中，搅拌机用700rpm搅拌10min，抛光液二：去离子水15L倒入干净的抛光液桶中，用1000ml量杯称量含粒径85µm的SiO
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所，未经中国电子科技集团公司第四十六研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911060784.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
